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        可控硅模塊知多少

        來源:www.anisary.com 日期:2022年06月07日  點擊數:載入中...
          可控硅模塊通常被稱為功率半導體模塊,早在1970年,西門康就率先將模塊原理引入了電力電子技術領域,這是一種模塊封裝形式的大功率半導體器件,具有三個PN結的四層結構。
          可控硅模塊也被稱為晶閘管。自20世紀50年代出現以來,它已經發展成為各個產品種類。其主要成員包括單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導電晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管等,識別起來非常簡單,根據P-N結的原理,只要用萬用表測量三極之間的電阻。陽極和負極之間的正負阻力超過幾百歐元,陽極和控制極之間超過幾百歐元。在控制極和陰極之間有一個P-N結,因此其正向電阻約為幾歐-幾百歐,且反向電阻大于正向電阻。然而,控制極性二極管的特性并不是太理想,反向不是完全呈阻斷狀態的。

          可控硅模塊的優點是:體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、維護安裝方便、重復性好、設備機械設計簡單、價格比分立器件低得多。因此,可控硅模塊的誕生受到了各大電源半導體制造商的歡迎,因此得到了長遠發展??煽毓枘K分類:可控模塊和整流模塊,可分為普通晶閘管模塊、普通整流模塊、普通晶閘管模塊、整流混合模塊、快速晶閘管模塊、整流混合模塊、非絕緣晶閘管模塊、整流混合模塊、三相整流橋輸出晶閘管模塊、單相半電流橋模塊、單相全電流橋模塊等。


        可控硅模塊知多少


          場效應管與可控硅驅動電路有本質區別?,F有的場效應管通常分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管。晶閘管可控硅模塊通常分為單向晶閘管和雙向晶閘管,其中絕緣柵場效應晶體管也叫MOS管(電流場效應晶體管,三極管混頻器叫IGBT,俗稱門控管,這種器件的驅動電路與現場效應管的驅動電路幾乎相同)。該驅動器屬于電壓驅動器,主要用于功率輸出、功率轉換等場合。其中需要PWM(脈寬調制)信號來控制,輸入到柵極的方波需要很陡(也叫圖騰柱輸出)。并具有一定的瞬態驅動能力(由于場效應管的柵極等于電容,當驅動信號的瞬態功率不足時,原來的波形會發生變化,通常等于10-15V)。在實際應用中,為了減少過大的功耗或防止場效應管的損壞,一般應增加過流保護和相關的吸收電路,并盡量使場效應管的工作頻率與負載的諧振頻率相同。典型的應用程序是電磁爐,雖然加熱線圈的電流和流過吸收電容的電流都很大,但是相位不同。相互抵消,通過現有場效應晶體管的總電流很小。

          可控硅模塊由電流進行驅動,因為它相當于兩個不同三極管,形成具有正反饋放大。當信號被觸發時,由于強烈的正反饋,它是導通的。當柵極電壓水平高于陽極工作電壓或陽極,陰極電壓差小于一定值時,正反饋失效,晶閘管復位。正常發展情況下,可控硅模塊輸出電壓不高于陽極,因此通過晶閘管是一種不可關閉的半控制系統裝置。


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