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        晶閘管模塊燒壞原因分析

        來源:www.anisary.com 日期:2022年06月11日  點擊數:載入中...
          晶閘管模塊屬于硅元件,硅元件的主要特點是過載能力差。因此,晶閘管模塊在使用過程中經常被燒毀。正高小編將向您展示晶閘管模塊燒壞的真正原因。

          晶閘管模塊的燒壞是由溫度過高引起的,溫度過高是由晶閘管模塊的電氣特性,熱性能,結構特性決定的。從而保證了晶閘管模塊的研發與生產,生產過程中的質量應從電氣特性、熱特性和結構特性三個方面入手,這三個方面是緊密聯系不可分割的。因此,在研發和生產晶閘管模塊時,應充分考慮其電應力,熱應力,結構應力。晶閘管模塊燒毀的原因有很多。通常,晶閘管模塊在三者的共同作用下才會燒毀,只存在某一項很難引起模塊的燒起。因此,廠家可以在生產過程中充分利用這一特性,即如果其中一個應力不符合要求,可以采取措施來改善另外兩個應力。


        晶閘管模塊燒壞原因分析


          對于晶閘管模塊各相的參數,常引起事故的參數有:電壓、電流、dv/dt、 di/dt、漏電、開通時間、關斷時間等,有時甚至控制極也會燒壞。由于晶閘管模塊參數性能的劣化或線路問題,每個參數導致晶閘管模塊燒損的現象不同于晶閘管模塊的表面。因此,通過對晶閘管模塊的解剖,可以確定晶閘管模塊的燒損參數。

          一般來說,在陰極表面或芯片邊緣有一個小黑點,表明這是由電壓引起的。晶體模塊的電壓誘導燃燒有兩種可能的原因。一是,晶閘管模塊的電壓故障就是我們通常所說的降伏,電壓故障分為早期故障、中間故障和晚期故障。二是線路問題,電路中存在過壓、晶閘管模塊采取的保護措施無效。
          當電流燒斷時,晶閘管模塊的陰極表面通常會有較大的燒痕,甚至芯片、外殼等金屬也會大面積熔化。更容易判斷di/dt所導致晶閘管模塊燒毀的現象。一般來說,有一部分是在靠近門極或者放大門極的地方燒成小黑點。晶閘管模塊的等效電路是由兩個可控硅電路組成的,與該門極對應的可控硅電路用于觸發,目的是在觸發信號到來時將其放大,然后盡快引導主可控硅電路。但如果短時間內電流過大,主可控硅電路還沒有完全導通,大電流主要流過相當于門極的可控硅電流,所以可控硅電流的載流量很小,所以可控硅電燒壞,表面是靠近門極或放電門極的小黑點。至于dv/dt本身不會燒壞晶閘管模塊,但高的dv/dt會使晶閘管模塊誤觸,其表面現象與電流燒壞沒有太大區別。

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